| Tipo | MOSFET de potencia canal N |
|---|---|
| Modelo | IRF-640 |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Corriente de drenaje | 18 A |
| Disipación de potencia | 125 W |
| Tensión drenaje-fuente | 200 V |
IRF-640: transistor MOSFET de potencia de canal N con tensión drenaje-fuente de 200 V, corriente de drenaje de 18 A y disipación de 125 W, en encapsulado TO-220AB. Ideal como refacción para etapas de conmutación y amplificación en equipos de radiocomunicación.
Componente de conmutación rápida apto para fuentes de poder, control de motores y circuitos de potencia. El encapsulado TO-220AB facilita el montaje en disipador para manejo térmico en aplicaciones de potencia.
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Cacahuate IA
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