Especificaciones
| Tipo | MOSFET de potencia canal N |
|---|---|
| Aplicación | Conmutación en convertidores CC-CC aislados |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Corriente de drenaje | 40 A |
| Disipación de potencia | 160 W |
| Proceso de fabricación | STripFET |
| Tensión drenaje-fuente | 200 V |
Descripción
Syscom Parts STP-40N20: transistor MOSFET de canal N con tensión drenaje-fuente de 200 V, corriente de 40 A y disipación de 160 W en encapsulado TO-220AB. Ideal para conmutación de potencia en convertidores CC-CC y fuentes de alta eficiencia.
Fabricado con el proceso STripFET de STMicroelectronics, diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Adecuado como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados, reguladores conmutados y etapas de potencia de equipos de radiocomunicación.
- Aplicación: conmutación primaria en convertidores CC-CC aislados
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