规格参数
| Tipo | MOSFET de potencia canal N |
|---|---|
| Modelo | IRF-640 |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Corriente de drenaje | 18 A |
| Disipación de potencia | 125 W |
| Tensión drenaje-fuente | 200 V |
Descripción
IRF-640: transistor MOSFET de potencia de canal N con tensión drenaje-fuente de 200 V, corriente de drenaje de 18 A y disipación de 125 W, en encapsulado TO-220AB. Ideal como refacción para etapas de conmutación y amplificación en equipos de radiocomunicación.
Componente de conmutación rápida apto para fuentes de poder, control de motores y circuitos de potencia. El encapsulado TO-220AB facilita el montaje en disipador para manejo térmico en aplicaciones de potencia.
- Aplicación: conmutación y amplificación de potencia
同类替代产品
RD70HUF2
REFA-SCI-00003
Transistor MOSFET de potencia RF Syscom RD70HUF2 70W VHF/UHF
$1,915
含增值税
或分8期，每期$240
14 件
MRF475
REFA-SCI-00085
Transistor RF NPN Syscom MRF475 10W 30MHz TO-220AB
$657
含增值税
或分8期，每期$83
仅剩 1 件
2SC2097
REFA-SCI-00077
Transistor RF NPN Syscom 2SC2097 70W 30MHz T-40E
$844
含增值税
或分8期，每期$106
仅剩 2 件
