Transistor MOSFET Canal P IRF9Z30, encapsulado TO-220AB, montaje pasante, resistencia Rds(on) 0.14 Ohm a 9.3 A, 10 V

Transistor MOSFET Canal P Syscom IRF9Z30 50V 18A

Marca
No. de parte: IRF9Z30
SKU: ELAB-LCUP-00042

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Especificaciones

Tipo	MOSFET de potencia, canal P
Encapsulado	TO-220AB, montaje pasante
Resistencia Rds(on)	0.14 Ohm a 9.3 A, 10 V
Carga de compuerta (Qg)	39 nC a 10 V
Disipación de potencia	74 W
Temperatura de operación	-55 °C a 150 °C
Voltaje de umbral Vgs(th)	4 V máx.
Voltaje drain-source (Vdss)	50 V
Capacitancia de entrada (Ciss)	900 pF a 25 V
Corriente continua de drain (Id)	18 A a 25 °C

Descripción

Syscom IRF9Z30: transistor MOSFET de potencia de canal P con voltaje drain-source de 50 V, corriente continua de 18 A y resistencia Rds(on) de 0.14 Ohm. Ideal como refacción para el Analizador III. Encapsulado TO-220AB de montaje pasante.

Componente de conmutación de potencia para etapas de carga y descarga del analizador. Disipa hasta 74 W y opera en un rango de temperatura amplio, lo que lo hace apto para reparación de equipo de laboratorio de baterías.