| Tipo | Transistor MOSFET de potencia RF |
|---|---|
| Eficiencia | 74% a 175MHz, 64% a 530MHz |
| Protección | Diodo integrado de protección de puerta |
| Potencia de salida | 70W (84W típico a 175MHz) |
| Rango de frecuencia | 135-175MHz (VHF) y 450-530MHz (UHF) |
| Corriente de drenaje | 20A máx. |
| Resistencia térmica | 0.5°C/W |
| Temperatura de canal | 175°C |
| Disipación del canal | 300W |
| Tensión drenaje-fuente | 40V máx. |
Syscom RD70HUF2: transistor MOSFET de potencia RF de 70W para 175/530MHz, con potencia de salida típica de 84W y eficiencia de drenaje del 74% a 175MHz. Ideal para la etapa de salida de amplificadores VHF/UHF de alta potencia en sistemas de radio móvil.
Diseñado para amplificadores de banda ancha en los rangos VHF de 135-175MHz y UHF de 450-530MHz, integra un diodo de protección de puerta y se prueba a 12.5V con impedancia de 50Ω. Cumple con RoHS y opera en un amplio rango de temperatura.
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