Transistor MOSFET de potencia RF RD70HUF2, diodo integrado de protección de puerta, eficiencia 74% a 175MHz, 64% a 530MHz

Transistor MOSFET de potencia RF RD70HUF2, potencia de salida 70W (84W típico a 175MHz)

Transistor MOSFET de potencia RF Syscom RD70HUF2 70W VHF/UHF

Brand
Part no.: RD70HUF2
SKU: REFA-SCI-00003

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Specifications

Tipo	Transistor MOSFET de potencia RF
Eficiencia	74% a 175MHz, 64% a 530MHz
Protección	Diodo integrado de protección de puerta
Potencia de salida	70W (84W típico a 175MHz)
Rango de frecuencia	135-175MHz (VHF) y 450-530MHz (UHF)
Corriente de drenaje	20A máx.
Resistencia térmica	0.5°C/W
Temperatura de canal	175°C
Disipación del canal	300W
Tensión drenaje-fuente	40V máx.

Descripción

Syscom RD70HUF2: transistor MOSFET de potencia RF de 70W para 175/530MHz, con potencia de salida típica de 84W y eficiencia de drenaje del 74% a 175MHz. Ideal para la etapa de salida de amplificadores VHF/UHF de alta potencia en sistemas de radio móvil.

Diseñado para amplificadores de banda ancha en los rangos VHF de 135-175MHz y UHF de 450-530MHz, integra un diodo de protección de puerta y se prueba a 12.5V con impedancia de 50Ω. Cumple con RoHS y opera en un amplio rango de temperatura.

Rango de frecuencia: 135-175MHz y 450-530MHz
Eficiencia: 74% típico a 175MHz, 64% a 530MHz