规格参数
| Tipo | Transistor de potencia RF MOSFET canal N |
|---|---|
| Eficiencia | 55% |
| Aplicación | Amplificadores de equipos FM portátiles |
| Encapsulado | Montaje superficial de potencia RF |
| Tolerancia VSWR | 20:1 a 9.5 Vcc |
| Frecuencia máxima | Hasta 520 MHz |
| Potencia de salida | 8 W |
| Ganancia de potencia | 11 dB |
| Tensión de operación | 7.5 Vcc |
Descripción
Syscom MRF1517T1: transistor de potencia RF tipo MOSFET de canal N, con potencia de salida de 8 W a 7.5 Vcc y operación de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. Ideal para etapas de amplificación de gran señal en equipos FM portátiles.
Su alta ganancia y rendimiento de banda ancha lo hacen apto para aplicaciones de amplificador de fuente común en sistemas comerciales e industriales. Soporta una relación de onda estacionaria (VSWR) de 20:1 a 9.5 Vcc y ofrece excelente estabilidad térmica en encapsulado de montaje superficial de potencia RF.
- Aplicación: equipos FM portátiles
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